特許
J-GLOBAL ID：200903088460462681
半導体集積回路の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 正康 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-015721
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213596
出願日： 1995年02月02日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 最終的に作られるMOS FETの構造を変えることなく、MOS FETの漏れ電流の増大や耐圧低下を防止できる半導体集積回路の製造方法を実現する。【構成】 MOS FETを形成していく工程の中で、不純物を基板1に注入し、熱拡散処理を行って拡散層を形成する工程の後に、多結晶シリコン膜3に不純物を拡散して導電性をもつゲート電極20を形成する工程をもってくる。
請求項（抜粋）：
多結晶シリコン膜に不純物を拡散して導電性をもつゲート電極を形成する第1の工程と、不純物を基板に注入し、熱拡散処理を行って拡散層を形成する第2の工程と、を少なくとも有し、基板上にMOS FETを形成する半導体集積回路の製造方法において、前記第1の工程は前記第2の工程の後にくることを特徴とする半導体集積回路の製造方法。
引用特許：
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