特許
J-GLOBAL ID：200903088462198108
半導体発光装置の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
片山 修平
, 横山 照夫
, 八田 俊之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-010789
公開番号（公開出願番号）：特開2007-194390
出願日： 2006年01月19日
公開日（公表日）： 2007年08月02日
要約：
【課題】放射角度の低アスペクト化、放射角度の要求に短時間での対応、またはウエハ内の良品率の向上が可能な半導体発光装置の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明は、基板上に、第1導電型クラッド層、活性層および第2導電型クラッド層が順次積層された化合物半導体層を形成する工程(S10)と、化合物半導体層内の導波路から出力光が出射する端面となるべき領域の導波路に、導波路の他の領域に比べ等価屈折率が小さい低屈折率領域を形成する工程(S20、S22)と、を有し、低屈折率領域を形成する工程は、低屈折率領域の導光路の長手方向の幅を決定することで半導体発光装置の出力光の放射角度を所望の値とするように前記低屈折率領域を形成する工程を含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法である。【選択図】 図9
請求項（抜粋）：
基板上に、第1導電型クラッド層、活性層および第1導電型と異なる第2導電型クラッド層が順次積層された化合物半導体層を形成する工程と、
前記化合物半導体層内の導波路から出力光が出射する端面となるべき領域の前記導波路に、前記導波路の他の領域に比べ等価屈折率が小さい低屈折率領域を形成する工程と、を有し、
前記低屈折率領域を形成する工程は、前記低屈折率領域の前記導光路の長手方向の幅を決定することで半導体発光装置の前記出力光の放射角度を所望の値とするように前記低屈折率領域を形成する工程を含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
5F173AA08
, 5F173AB74
, 5F173AC54
, 5F173AH08
, 5F173AP05
, 5F173AP13
, 5F173AP52
, 5F173AP54
, 5F173AR53
出願人引用 (1件)
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半導体レーザ素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-182401
出願人：三菱電機株式会社
審査官引用 (9件)
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半導体レーザ素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-182401
出願人：三菱電機株式会社
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半導体レーザ装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-272287
出願人：松下電器産業株式会社
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特開平2-130813
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