シリコンエピタキシヤル膜の選択成長方法及びその装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：舘野千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-184196
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013339
出願日： 1991年06月28日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】厚い膜の成長を行っても選択性を崩さないシリコンエピタキシャル膜の選択成長方法を提供する。【構成】真空容器1内に設置した基板3に向けて、ノズル4からジシランを照射し、それと同時にまたは交互に、異なるノズル5からフッ素を照射する。フッ素との反応によってシリコン酸化膜パタ-ンまたはシリコン窒化膜パタ-ン上に付着したシリコン原子を除去して、シリコン酸化膜パタ-ンもしくはシリコン窒化膜パタ-ン上のポリシリコンアイランドの形成を抑制する。

請求項（抜粋）：

少なくとも表面にシリコン層を有し、該シリコン層上にマスクパタ-ンを設けた基板を容器内に配置し、気相反応が起こらない条件で前記シリコン層の表面に気体のシリコン水素化物および/または気体のゲルマニウム水素化物とフッ素ガスとを同時に照射して前記シリコン層の表面にシリコン膜またはゲルマニウムを含むシリコン膜を選択成長させる工程を備えたことを特徴とするシリコンエピタキシャル膜の成長方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平3-030422
特開平2-202017
特開平2-082614

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