特許
J-GLOBAL ID：200903088467782312
プラズマ処理方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-030191
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223672
出願日： 1996年02月19日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：
【要約】【課題】 成膜速度やエッチング速度等の処理速度の均一化を図る。【解決手段】 反応室1内下部の下部電極5上に基板7を設置し、反応室1上面に設置された誘電板2とその下に設置した少なくとも2つ以上の孔13を有する誘電体製のガス分散板12との間の空間に反応室1の側面に設けられたガス導入孔14から反応ガスを導入し、ガス分散板12より下方の反応室1の側面に設けられたガス排気孔11から排気し、誘電板2上に設置された誘導コイル3に高周波電力を印加し、ガス分散板12と下部電極5の間でプラズマを生成して下部電極5上に設置した基板7を処理することにより、ガス分散板12にて下部電極5上の基板7に当たる反応ガスを均一化し、成膜速度やエッチング速度の均一性を向上するようにした。
請求項（抜粋）：
反応室内下部の下部電極上に基板を設置し、反応室上面に設置された誘電板とその下に10mm以下の間隔で設置した少なくとも2つ以上の孔を有する誘電体製のガス分散板との間の空間に反応室の側面に設けられた反応ガス導入孔から反応ガスを導入し、ガス分散板より下方の反応室の側面に設けられたガス排気孔から排気し、反応室内の圧力を10mTorr以上に調整し、誘電板上に設置された誘導コイルに高周波電力を印加し、ガス分散板と下部電極の間でプラズマを生成して下部電極上に設置した基板を処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23C 16/50
, H01L 21/285
, H01L 21/3065
H01L 21/205
, C23C 16/50
, H01L 21/285 C
, H01L 21/302 B
