特許
J-GLOBAL ID：200903088474549534
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-197707
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021219
出願日： 1992年06月30日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 半導体素子にゴミや傷が付かない信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】 先ず切断前のウエハ1表面に紫外線硬化型樹脂3を付着し、このウエハ1裏面を粘着性シート4に接着して保持する。次に紫外線硬化型樹脂3の上からウエハ1を切断し粘着性シート上でチップ状の半導体素子を形成する。次いでこの粘着性シートを引き延ばして半導体素子相互を分離し個々の間隔を広げ、粘着性シートから半導体素子11を取り出して基台上に搭載する。その後、半導体素子の上方から紫外線を照射して紫外線硬化型樹脂3を硬化させ剥離する。
請求項（抜粋）：
複数の電気回路が形成されたウエハを前記電気回路毎に切断してチップ状の半導体素子を形成し、前記半導体素子を所定の基台上に搭載して成る半導体装置の製造方法において、先ず、前記切断前のウエハの表面に紫外線硬化型樹脂を付着し、前記ウエハの裏面を粘着性シートに接着して保持する工程と、次に、前記紫外線硬化型樹脂の上から前記ウエハを切断して前記粘着性シート上でチップ状の半導体素子に分割する工程と、次いで、前記粘着性シートを引き延ばして前記半導体素子相互を分離し、個々の間隔を広げた後、前記半導体素子を前記粘着性シートから取り出して前記基台上に搭載する工程と、そして、前記基台上に搭載された半導体素子の上方から紫外線を照射して前記紫外線硬化型樹脂を硬化させた後、前記半導体素子上から前記紫外線硬化型樹脂を剥離する工程とから成ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/78
, H01L 21/52
, H01L 21/68
