特許
J-GLOBAL ID：200903088477328180
微細構造の作製法、微細構造、磁気センサ、磁気記録媒体および光磁気記録媒体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-221466
公開番号（公開出願番号）：特開平11-066654
出願日： 1997年08月18日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【課題】 微細構造の平均間隔、相互配置の制御を可能にし、微細構造の集積密度を大きくする。【解決手段】 薄い自然酸化膜を有するSi基板10の表面上にアミノシラン吸着層25を形成したのち、カルボキシレート処理を施した平均粒径50nmのポリスチレンコロイド微粒子40をアミノシラン吸着層25の表面に付着させ、ポリスチレンコロイド微粒子40をエッチングマスクとして、炭化フッ素系エッチングガスを用いたリアクティブイオンエッチングを行なって微細柱状構造100を作製し、残ったポリスチレン微粒子41およびアミノシラン吸着層25を引き続く酸素プラズマアッシングにより完全に除去する。
請求項（抜粋）：
基板上に表面が被覆分子層によって被覆されかつ直径が100nm以下のコロイド微粒子を付着させ、上記コロイド微粒子をマスクとして上記基板を加工することを特徴とする微細構造の作製法。
IPC (10件)：
G11B 11/10 541
, G11B 11/10 506
, G01R 33/09
, G11B 5/66
, G11B 5/84
, H01L 21/302
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 43/08
, H01L 43/12
G11B 11/10 541 B
, G11B 11/10 506 R
, G11B 5/66
, G11B 5/84 Z
, H01L 43/08 Z
, H01L 43/12
, G01R 33/06 R
, H01L 21/302 Z
, H01L 27/10 621 C
