特許
J-GLOBAL ID:200903088484517851

光磁気記録媒体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 古谷 史旺 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-157653
公開番号(公開出願番号):特開平11-353724
出願日: 1998年06月05日
公開日(公表日): 1999年12月24日
要約:
【要約】【課題】 磁気超解像再生の技術が適用された光磁気記録媒体に関し、その膜構成を変更することによって、再生時に照射すべき再生ビームのパワーを大幅に高めることなく再生の解像度を向上させることを目的とする。【解決手段】 基板上に少なくとも、常温よりも高い所定温度以上では垂直磁化状態となり、その所定温度未満では面内磁化状態となるMSR膜と、少なくとも常温以上の温度では常磁性状態となる磁性体であるか、または非磁性体である調整膜と、少なくとも所定温度以上では垂直磁化状態となり、かつキュリー温度がMSR膜のキュリー温度よりも低く所定温度よりも高い切断膜と、キュリー温度が切断膜よりも高い垂直磁化膜であるメモリー膜とが順次形成されたことを特徴とする。
請求項(抜粋):
基板上に少なくとも、常温よりも高い所定温度以上では垂直磁化状態となり、その所定温度未満では面内磁化状態となるMSR膜と、少なくとも常温以上の温度では常磁性状態となる磁性体であるか、または非磁性体である調整膜と、少なくとも前記所定温度以上では垂直磁化状態となり、かつキュリー温度が前記MSR膜のキュリー温度よりも低く前記所定温度よりも高い切断膜と、キュリー温度が前記切断膜よりも高い垂直磁化膜であるメモリー膜とが順次形成されたことを特徴とする光磁気記録媒体。
IPC (2件):
G11B 11/10 506 ,  G11B 11/10
FI (3件):
G11B 11/10 506 A ,  G11B 11/10 506 G ,  G11B 11/10 506 U

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