特許
J-GLOBAL ID：200903088488755234
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 英彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-210569
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066239
出願日： 1993年08月25日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の放熱特性を良くし、熱膨張による応力の発生を防ぐこと。【構成】 半導体チップ20の電極22、23が形成された面21を基板11上に固定された配線用導電体層12a〜12d及び基板11に導電性接着剤で接着する半導体装置において、前記導電性接着剤を導電性粒子42及びこの導電性粒子42よりも小径の熱伝導性粒子43を有する異方性導電接着剤40としたことを特徴とする半導体装置。更に、上記半導体装置において、前記基板11の熱膨張係数と前記半導体チップ20の熱膨張係数とをほぼ等しくしたこと。
請求項（抜粋）：
半導体チップの電極が形成された面を基板上に固定された配線用導電体層及び前記基板に導電性接着剤で接着する半導体装置において、前記導電性接着剤を導電性粒子及びこの導電性粒子よりも小径の熱伝導性粒子を有する異方性導電接着剤としたことを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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