特許

J-GLOBAL ID：200903088490744681

半導体装置並びにその製造方法およびメモリ素子並びに発光素子

発明者： 三浦 博
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-351289
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201733
出願日： 1993年12月30日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】 良好な結晶性を有する超格子構造を実現し、得られた超格子構造を用いてメモリーや発光機能等の新規機能を実現することが可能である。【構成】 基板301上に、障壁層302と井戸層303とが積層されて構成されており、基板301には、成長膜厚の材質や素子が必要とする機能に応じて、Si,Ge,GaAs等の材料が適宜選択されて用いられる。また、基板301の面方位は、(111)及び(100)面が選択できる。また、障壁層302には、CaF2、SrF2、BaF2等のアルカリ土類フッ素化合物材料が用いられる。また、井戸層303には、硫化物材料が用いられる。本発明では、アルカリ土類元素で構成される硫化物結晶に着目し、イオン結合的性質が強い材料同志のヘテロ接合により超格子構造を形成することにより、接合界面付近の結晶性が低下するのを防止するようにしている。

請求項（抜粋）：

単結晶半導体基板上に、アルカリ土類元素を含有した単結晶フッ素化合物の薄膜とアルカリ土類元素を含有した単結晶硫化物薄膜とが交互に積層した状態で形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 33/00 ,  H05B 33/14