特許

J-GLOBAL ID：200903088500451521

半導体装置の製造方法

発明者： 岸井 貞浩 ,  鈴木 隣太郎 ,  伊藤 昭男 ,  大石 明良 ,  杉本 文利
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-133383
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335597
出願日： 1994年06月15日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】 ウェーハ洗浄方法に係わり、特に、研磨により層間絶縁膜を平坦化した後にウェーハを洗浄する半導体装置の製造方法に関し、研磨により層間絶縁膜を平坦化した半導体基板において、洗浄効果を損なわずに層間絶縁膜剥がれ等を抑えることができる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 ウェーハ10上に堆積された層間絶縁膜20を研磨により平坦化する研磨工程と、ウェーハ10上に付着したパーティクルをブラシ14により除去する第1の洗浄工程と、化学洗浄液22によりウェーハ10表面を洗浄する第2の洗浄工程を含む。

請求項（抜粋）：

下地基板上に堆積された層間絶縁膜を研磨により平坦化する研磨工程と、前記下地基板上に付着したパーティクルをブラシにより除去する第1の洗浄工程と、化学洗浄液により前記下地基板表面を洗浄する第2の洗浄工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/308