特許

J-GLOBAL ID：200903088501730149

窒化物半導体の成長方法

発明者： 長濱 慎一 ,  岩佐 成人 ,  中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-244428
公開番号（公開出願番号）：特開2003-078163
出願日： 1995年09月18日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：

【要約】【目的】 基板の上に成長させる窒化物半導体の結晶性を向上させ、信頼性に優れたLED、LD等を実現する。【構成】 気相成長法により、InaAlbGa1-a-bN(0≦a、0≦b、a+b≦1)で示される窒化物半導体を基板上にエピタキシャル成長させる方法において、基板にSiCを使用し、そのSiC基板の上にX値が順次小さくなるように組成傾斜したAlXGa1-XN(0≦X≦1)層を成長させ、そのAlXGa1-XN層の上に窒化物半導体を成長させることにより、窒化物半導体の格子不整合による歪みを緩和して結晶性を飛躍的に向上させる。

請求項（抜粋）：

気相成長法により、InaAlbGa1-a-bN(0≦a、0≦b、a+b≦1)で示される窒化物半導体を基板上にエピタキシャル成長させる方法において、基板にSiCを使用し、そのSiC基板の上にX値が順次小さくなるように組成傾斜したAlXGa1-XN(0≦X≦1)層を成長させ、そのAlXGa1-XN層の上に前記窒化物半導体を成長させることを特徴とする窒化物半導体の成長方法。

Fターム (8件)：

5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA60 ,  5F041CA65 ,  5F041CB11

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平4-223330
  
• 量子井戸型半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-314770   出願人：旭化成工業株式会社
• 特許第3604205号
  

審査官引用 (2件)

• 特開平4-223330
  
• 量子井戸型半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-314770   出願人：旭化成工業株式会社