特許
J-GLOBAL ID：200903088505327659
EUV光露光用反射型マスクおよびEUV光露光用反射型マスクブランク
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阿仁屋 節雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-230141
公開番号（公開出願番号）：特開2003-045779
出願日： 2001年07月30日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：
【要約】【課題】 半導体製造等におけるパターン転写の際に使用されるEUV光露光用反射型マスクにおいて、EUV光を反射する多層膜上に成膜されるエッチングストッパー層の膜厚のむらに起因するパターンのコントラスト低下を抑制する。【解決手段】 前記エッチングストッパー層M1の表面にて反射されるEUV?@光と、前記エッチングストッパー層M1を通過し前記エッチングストッパー層M1の下にある前記多層膜M2で反射され再び前記エッチングストッパー層M1を通過したEUV光?Aとの干渉効果を用いて、前記エッチングストッパー層M1の膜厚むらに起因するEUV光反射率の変動を抑制することにより、パターンのコントラストを上げることができた。
請求項（抜粋）：
EUV光反射多層膜上に成膜されたエッチングストッパー層を有するEUV光露光用反射型マスクブランクであって、前記エッチングストッパー層の表面にて反射されるEUV光と、前記エッチングストッパー層を通過して前記エッチングストッパー層の下にある前記EUV光反射多層膜で反射され、再び前記エッチングストッパー層を通過したEUV光との干渉効果を利用して、前記EUV光露光用反射型マスクの、反射領域面内で反射されるEUV光の反射率のむらが、前記反射領域面内の反射率の平均値を基準として±3%以内となるエッチングストッパー層の膜厚の範囲を求め、エッチング後のエッチングストッパー層の膜厚が前記エッチングストッパー層の膜厚の範囲となるように、前記エッチングストッパー層の膜厚を制御したことを特徴とするEUV光露光用反射型マスクブランク。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 1/16 A
, H01L 21/30 531 M
, H01L 21/30 502 P
2H095BA10
, 2H095BB02
, 2H095BB35
, 2H095BC09
, 2H095BC11
, 2H095BC24
, 5F046AA25
, 5F046CB17
, 5F046GD07
, 5F046GD10
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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