特許
J-GLOBAL ID：200903088520195149
半導体製造装置におけるウェハ支持装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-131195
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313329
出願日： 2000年04月28日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：
【要約】【課題】 リフトアップ時のウェハ裏面の傷やウェハの位置ずれを防止することのでき、少なくともウェハ支持エリアにおける温度分布を均一とすることのできるウェハ支持装置を提供すること。【解決手段】 本発明のウェハ支持装置は、上部及び下部のそれぞれに熱源を有する半導体製造装置の処理チャンバ内に設けられるウェハ支持本体22と、その上面の支持エリア26の外から内に延び、傾斜上面を有するリフト部片36と、リフト部片を支持する円弧状のリフトリング32と、上端部がリフトリングに接続され、ウェハ支持本体の貫通孔46を通して上下動されるリフトピン48とを備え、リフトピンの下降時に貫通孔がリフトリングにより覆われ実質的に閉じられることを特徴とする。これにより、貫通孔に起因する温度分布の不均一が解消される。
請求項（抜粋）：
上部及び下部のそれぞれに熱源を有する半導体製造装置の処理チャンバ内に設けられ、ウェハを支持するための支持エリアを上面に有するウェハ支持本体と、前記ウェハ支持本体の前記支持エリアの外側から前記支持エリアの内側に延び、内側に向かって下方に傾斜する傾斜面を上面に有し、且つ、前記ウェハ支持本体の前記上面よりも下側の位置と上側の位置との間で上下動可能となっている複数のリフト部片と、前記支持エリアの外側に配置された円弧状のリフトリングであって、当該リフトリングの内周縁に前記リフト部片が一体的に形成されている前記リフトリングと、上端部が前記リフトリングに接続され、前記ウェハ支持本体に形成された貫通孔を通して上下動されるリフトピンと、を備え、前記リフトピンの下降時に前記貫通孔が前記リフトリングにより覆われ実質的に閉じられるようになっていることを特徴とするウェハ支持装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/68 N
, H01L 21/205
5F031CA02
, 5F031HA32
, 5F031HA59
, 5F031KA03
, 5F031MA28
, 5F031NA05
, 5F045AA03
, 5F045AB02
, 5F045AC01
, 5F045AC05
, 5F045EK11
, 5F045EM10
