特許
J-GLOBAL ID:200903088533002099
極低温蓄冷器
発明者:
出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
高橋 敬四郎 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-281190
公開番号(公開出願番号):特開平6-201205
出願日: 1993年11月10日
公開日(公表日): 1994年07月19日
要約:
【要約】【目的】 より少ない層数で理想に近い合成比熱曲線を得ることのできる新規な磁性蓄冷材を層状に充填した極低温蓄冷器を提供することを目的とする。【構成】 一般式(A<SB>1-x-y </SB>B<SB>x </SB>C<SB>y </SB>)(M<SB>1-z </SB>N<SB>z </SB>)<SB>k </SB>(ただし、AおよびBは同じ磁気異方性を有し、それぞれ1種以上の異なる希土類元素、CはAおよびBと異なる磁気異方性をもつ希土類元素、MはNi、Co、Cu、Al、Si、Mn、Zn、Ga、Ge、Ag、Snよりなる群から選ばれた1種の元素、Nは希土類以外の元素であり、Mの原子半径と約2%以上異なる原子半径を有する1種以上の元素、0≦x≦1、0≦y≦0.25、0<z≦0.3、0.3≦k≦3である)で表記される蓄冷材を層状に充填する。
請求項(抜粋):
一般式(A<SB>1-x-y </SB>B<SB>x </SB>C<SB>y </SB>)(M<SB>1-z </SB>N<SB>z </SB>)<SB>k</SB>(ただし、AおよびBは同じ磁気異方性を有し、それぞれ1種以上の異なる希土類元素、CはAおよびBと異なる磁気異方性をもつ希土類元素、MはNi、Co、Cu、Al、Si、Mn、Zn、Ga、Ge、Ag、Snよりなる群から選ばれた1種の元素、Nは希土類以外の元素であり、Mの原子半径と約2%以上異なる原子半径を有する1種以上の元素、0≦x≦1、0≦y≦0.25、0<z≦0.3、0.3≦k≦3である)で表記される1種または異なる組成の2種以上の蓄冷材を層状に充填した極低温蓄冷器。
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