特許
J-GLOBAL ID：200903088533596410
X線撮像装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-195599
公開番号（公開出願番号）：特開平6-038950
出願日： 1992年07月22日
公開日（公表日）： 1994年02月15日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、被写体自身からの透過X線を正確に、かつリアルタイムでモニタできるX線撮像装置を提供することを目的とする。【構成】 本発明は、被写体にX線を投射するX線源1と、被写体を透過したX線源1からのX線の入射により発光するシンレータ23と、シンチレータ23からの光を検出する固体撮像素子21とを備えるX線撮像装置2において、固体撮像素子21は、シンチレータ23からの光を光電変換する受光領域が表面側に形成され、第1導電型の不純物領域が裏面側に形成された第2導電型の半導体基板を有して構成され、半導体基板と不純物領域とのPN接合により構成されるフォトダイオードの光電流出力を検出してX線源からのX線の照射量をモニタするモニタ手段を備えることを特徴とする。ここで、モニタ手段の出力によりX線源の出力をコントロールする制御手段53を更に備えるX線撮像装置2としてもよい。
請求項（抜粋）：
被写体にX線を投射するX線源と、前記被写体を透過した前記X線源からのX線の入射により発光するシンレータと、前記シンチレータからの光を検出する固体撮像素子とを備えるX線撮像装置において、前記固体撮像素子は、表面側に前記シンチレータからの光を光電変換する受光領域が形成され、裏面側に第1導電型の不純物領域が形成された第2導電型の半導体基板を有して構成され、前記半導体基板と前記不純物領域とのPN接合により構成されるフォトダイオードの光電流出力を検出して前記X線源からのX線の照射量をモニタするモニタ手段を備えることを特徴とするX線撮像装置。
IPC (2件)：
A61B 6/00 300
, H01L 27/14
