特許
J-GLOBAL ID:200903088533596410

X線撮像装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-195599
公開番号(公開出願番号):特開平6-038950
出願日: 1992年07月22日
公開日(公表日): 1994年02月15日
要約:
【要約】【目的】 本発明は、被写体自身からの透過X線を正確に、かつリアルタイムでモニタできるX線撮像装置を提供することを目的とする。【構成】 本発明は、被写体にX線を投射するX線源1と、被写体を透過したX線源1からのX線の入射により発光するシンレータ23と、シンチレータ23からの光を検出する固体撮像素子21とを備えるX線撮像装置2において、固体撮像素子21は、シンチレータ23からの光を光電変換する受光領域が表面側に形成され、第1導電型の不純物領域が裏面側に形成された第2導電型の半導体基板を有して構成され、半導体基板と不純物領域とのPN接合により構成されるフォトダイオードの光電流出力を検出してX線源からのX線の照射量をモニタするモニタ手段を備えることを特徴とする。ここで、モニタ手段の出力によりX線源の出力をコントロールする制御手段53を更に備えるX線撮像装置2としてもよい。
請求項(抜粋):
被写体にX線を投射するX線源と、前記被写体を透過した前記X線源からのX線の入射により発光するシンレータと、前記シンチレータからの光を検出する固体撮像素子とを備えるX線撮像装置において、前記固体撮像素子は、表面側に前記シンチレータからの光を光電変換する受光領域が形成され、裏面側に第1導電型の不純物領域が形成された第2導電型の半導体基板を有して構成され、前記半導体基板と前記不純物領域とのPN接合により構成されるフォトダイオードの光電流出力を検出して前記X線源からのX線の照射量をモニタするモニタ手段を備えることを特徴とするX線撮像装置。
IPC (2件):
A61B 6/00 300 ,  H01L 27/14
引用特許:
出願人引用 (4件)
  • X線撮像装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-095444   出願人:浜松ホトニクス株式会社
  • 特開昭61-221689
  • 特開昭62-218887
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