特許

J-GLOBAL ID：200903088534295693

酸化バナジウム膜の電気特性制御方法

発明者： 和田 英男 ,  小田 直樹 ,  佐々木 得人
出願人/特許権者： 防衛庁技術研究本部長 ,  日本電気株式会社
代理人 (1件)： 池田 憲保
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-304226
公開番号（公開出願番号）：特開平9-145481
出願日： 1995年11月22日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】 酸化バナジウム膜の比抵抗の簡便な制御方法を提供する。【解決手段】 5価のV2 O5 相を示す酸化バナジウム膜が形成された試料ウェハ1を、真空容器3内の試料ホルダ2に設置し、アルゴン及び水素混合ガス雰囲気下で酸化バナジウム膜を所定の熱処理温度(還元温度)で熱処理することによって、酸化バナジウム膜の相を、5価のV2 O5 相から、4価のVO2 相へ、更には3価のV2 O3 相へと、制御し、酸化バナジウム膜の比抵抗を制御する。ここで、熱処理温度を350〜450°Cとすることで熱型赤外線センサ、サーモクロミックデバイス材料等へ適用するために好適な比抵抗0.002〜0.5Ωcmの酸化バナジウム膜を得ることができる。

請求項（抜粋）：

酸化バナジウム膜を還元雰囲気下で所定の熱処理温度範囲に含まれる熱処理温度で熱処理することにより、前記酸化バナジウム膜の還元を行ない、前記所定の熱処理温度範囲内で熱処理温度を選択することより前記酸化バナジウム膜の比抵抗を制御することを特徴とする酸化バナジウム膜の電気特性制御方法。

IPC (4件)：

G01J 5/02 ,  B01J 19/00 ,  C01G 31/02 ,  G01J 1/02

FI (4件)：

G01J 5/02 P ,  B01J 19/00 K ,  C01G 31/02 ,  G01J 1/02 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特公昭45-020967