特許
J-GLOBAL ID：200903088535885516
MgOターゲット及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
重野 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-289857
公開番号（公開出願番号）：特開平10-130828
出願日： 1996年10月31日
公開日（公表日）： 1998年05月19日
要約：
【要約】【課題】 スパッタ法により速い成膜速度で均一な膜厚を有したMgO膜を成膜可能な、AC型PDPのMgO保護膜の成膜に好適なMgOターゲットを提供する。【解決手段】 Ar又はAr+O2 雰囲気中で、スパッタ法により500Å/min以上の成膜速度が得られる高密度MgOターゲット。平均粒径0.1〜2μmの高純度MgO粉末を、3t/cm2 以上の圧力でCIP成形後、1450°C以上の温度で焼結する。【効果】 高純度MgO粉末を高圧でCIP成形するため、高密度成形体を得ることができ、これを焼結することにより、焼結助剤を用いることなく著しく緻密な高密度・高純度MgOターゲットを得ることができる。高い成膜速度で成膜することができる上に、高密度化による強度、耐パワー性の向上で、大出力成膜により、より一層の高速化が可能である。
請求項（抜粋）：
相対密度99%以上のMgO焼結体よりなり、Ar雰囲気或いはAr-O2 混合雰囲気中でのスパッタ成膜において500Å/min以上の成膜速度が得られることを特徴とするMgOターゲット。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/34 A
, C04B 35/04 Z
