固体撮像装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-211281
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078651
出願日： 1994年09月05日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】金属遮光膜の遮光特性を向上させると共に、その反射率を低下させる。【構成】半導体基板1に、フォトダイオード部とMIS型トランジスタ部とを形成した上、層間絶縁膜となる二酸化珪素膜4と金属遮光膜となるWSi膜7とを更に形成した後、フォトダイオード部を開口するためのレジストパターン8をWSi膜7の上に形成して、WSi膜7をエッチングする。そして、半導体基板1を800°C以上の温度で熱処理して、フォトダイオード部以外の部分を覆うWSi膜7を多結晶化した上、再度、半導体基板1を800°C以上の温度の酸化雰囲気中で熱処理して、WSi膜7の表面を酸化させることにより、多結晶化されたWSi膜7の表面に二酸化珪素膜9を形成する。

請求項（抜粋）：

光が入射すると電荷を発生するフォトダイオード部と前記電荷を転送するMIS型トランジスタ部とが形成された半導体基板の主面に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜の表面に、高融点金属或いは高融点金属シリサイド、若しくは、ポリサイド構造の高融点金属或いは高融点金属シリサイドからなる金属遮光膜を形成する工程と、前記金属遮光膜を形成した前記半導体基板を800°C以上の温度で第1の熱処理を行う工程と、からなる固体撮像装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/146 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 27/14 A , H01L 21/88 Q

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