特許
J-GLOBAL ID:200903088539536907

半導体パッケージ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 須山 佐一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-306923
公開番号(公開出願番号):特開平6-163739
出願日: 1992年11月17日
公開日(公表日): 1994年06月10日
要約:
【要約】【目的】 パッケージを小形化した上で、入出力信号数の増加への対応や高放熱性化を可能にすると共に、半導体チップの高速動作化による誤動作の防止を実現した半導体パッケージを提供する。【構成】 半導体チップ3が搭載されると共に、半導体チップ3に電気的に接続された配線パターン(6、7、10、11、14、15)を有する窒化アルミニウム多層基板2と、配線パターンと電気的に接続されると共に、窒化アルミニウム多層基板2の半導体チップ搭載面と反対側の面に設けられた接続端子4とを具備する半導体パッケージ1である。窒化アルミニウム多層基板2中の少なくとも1層は、電源層13またはグランド層9を専有した層である。
請求項(抜粋):
半導体チップが搭載されると共に、該半導体チップに電気的に接続された配線パターンを有する窒化アルミニウム多層基板と、前記配線パターンと電気的に接続されると共に、前記窒化アルミニウム多層基板の前記半導体チップの搭載面と反対側の面に設けられた接続端子とを具備し、前記窒化アルミニウム多層基板中の少なくとも 1層は、電源層またはグランド層を専有した層であることを特徴とする半導体パッケージ。
IPC (4件):
H01L 23/12 ,  H01L 23/08 ,  H05K 3/46 ,  H01L 21/3205
FI (3件):
H01L 23/12 N ,  H01L 23/12 E ,  H01L 21/88 S
引用特許:
審査官引用 (3件)

前のページに戻る