特許
J-GLOBAL ID：200903088543289205
不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-209435
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056158
出願日： 1996年08月08日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：
【要約】【課題】スナップバック現象を抑制でき、メモリトランジスタの微細化を図ることが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供すること。【解決手段】P型シリコン基板1内に形成されたN型ウェル2と、N型ウェル2内に形成されたP型ウェル4と、基板1内に形成され、基板1よりも不純物濃度が高く、かつP型ウェル4とほぼ同程度の深さを有するP+ 型メモリトランジスタ形成領域3と、N型ウェル2に形成されたPチャネル型トランジスタと、P型ウェルに形成されたNチャネル型トランジスタと、P+ 型メモリトランジスタ形成領域3に形成されたNチャネル型メモリトランジスタとを具備する。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板内に形成された第2導電型の第1のウェルと、前記第1のウェル内に形成された第1導電型の第2のウェルと、前記半導体基板内に形成された、この半導体基板よりも不純物濃度が高く、かつ第2のウェルとほぼ同程度の深さを有するメモリトランジスタ形成領域と、前記第1のウェルに形成された、第1導電型のチャネルを持つトランジスタと、前記第2のウェルに形成された、第2導電型のチャネルを持つトランジスタと、前記メモリトランジスタ形成領域に形成された、第2導電型のチャネルを持つ不揮発性メモリトランジスタとを具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 27/115
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
