特許
J-GLOBAL ID：200903088545477661
薄膜抵抗体とそれを内蔵した多層回路基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-285769
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140215
出願日： 1992年10月23日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【目的】Cr、Si、Oを主成分とする抵抗膜を用いた薄膜抵抗体とそれを内蔵した多層回路基板の抵抗値歩留りを高くする。【構成】下地基板100上にCr、Si、Oを主成分とする抵抗膜1と電極膜2からなる積層膜を形成する。140°C〜300°Cの熱処理を施してから薄膜抵抗体の製造プロセスを通し、電極3・4を形成する。次いで、保護層パターン5を形成した。【効果】製造工程の熱履歴の影響を受けることなく抵抗層のシート抵抗値と熱処理安定化工程における抵抗変化率を正しく把握できるようになり、前記薄膜抵抗体やこれを内蔵させた多層回路基板を抵抗歩留り高く製造できるようになる。
請求項（抜粋）：
クロム(Cr)、シリコン(Si)、酸素(O)を主成分とした薄膜を抵抗層とした薄膜抵抗体の製造方法において、140°C〜300°Cの加熱処理を施す加熱処理工程を設け、当該加熱処理工程後に前記抵抗体層の加工や前記薄膜抵抗体の電極パターンを形成することを特徴とする薄膜抵抗体の製造方法。
IPC (4件)：
H01C 17/06
, H01C 7/00
, H05K 1/16
, H05K 3/46
