特許

J-GLOBAL ID：200903088548713030

電界効果トランジスタ

発明者： 橋本 雅明
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 五十嵐 省三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-103519
公開番号（公開出願番号）：特開平9-270432
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：

【要約】【課題】 負性抵抗特性を示す電界効果トランジスタにおいて不要発振が発生していた。【解決手段】 半絶縁性GaAs基板2上にリセス領域4を有するN型GaAs電子走行層3を形成し、また、リセス領域4にゲート電極5、リセス領域4の両側にソース電極6及びドレイン電極7を形成し、ドレイン電極7にドレインパッド10を接続した電界効果トランジスタにおいて、ドレインパッド10に不要発振周波数の波長λSの1/4の長さの先端開放スタブ11を付加した。

請求項（抜粋）：

負性抵抗特性を有する電界効果トランジスタにおいて、該電界効果トランジスタのドレインパッドに先端開放スタブ(11)を接続したことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/872

FI (3件)：

H01L 29/80 F ,  H01L 29/48 H ,  H01L 29/80 P

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-273404
  
• 特開昭62-054968
  
• 特開平3-214632