特許

J-GLOBAL ID：200903088552574990

パラメータ調整装置

発明者： 小助川 奨 ,  御子柴 正光
出願人/特許権者： 株式会社進化システム総合研究所
代理人 (2件)： 久保田 直樹 ,  野村 泰久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-068678
公開番号（公開出願番号）：特開2009-223710
出願日： 2008年03月18日
公開日（公表日）： 2009年10月01日
要約：

【課題】トランジスタなどの半導体素子の物理モデルの多数のパラメータを短時間で調整可能なパラメータ調整装置を提供すること。【解決手段】パラメータ調整装置は、BSIM等の半導体素子の物理モデルの複数のパラメータの少なくとも一部を遺伝子とする個体を定義し、FETのゲート幅W、ゲート長Lの複数の組み合わせについてそれぞれ設定されたセンターFET、BEST-FET、WORST-FETのしきい値電圧値Vthおよびオン電流値Ionの設定値に合致し、かつ物理モデルの計算値が設定値の一方の側に来るように遺伝的アルゴリズムを使用して物理モデルのパラメータを最適化するパラメータ調整手段を備える。BEST-FET、WORST-FETのモデルについてはモデルの計算値が設定値より外側になるようにBSIMパラメータを調整することが可能である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体素子の物理モデルの複数のパラメータの少なくとも一部を遺伝子とする個体を定義し、半導体素子の複数の形状に関連した複数の設定値に合致し、かつ前記物理モデルの計算値が前記複数の設定値の一方の側に来るように遺伝的アルゴリズムを使用して物理モデルのパラメータを最適化するパラメータ調整手段を備えたことを特徴とするパラメータ調整装置。

IPC (2件)：

G06N 3/00 ,  H01L 29/00

FI (2件)：

G06N3/00 550C ,  H01L29/00

引用特許：

出願人引用 (1件)

• パラメータ調整装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-275037   出願人：株式会社進化システム総合研究所, 株式会社半導体先端テクノロジーズ