単結晶引上方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：志賀正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-003377
公開番号（公開出願番号）：特開平9-188593
出願日： 1996年01月11日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：

【要約】【課題】単結晶中のボイドの発生を低減する。【解決手段】気密容器2と、気密容器内で半導体融液を貯留する互いに連通した外ルツボ11及び内ルツボ12からなる二重ルツボ3と、気密容器の上部から垂下され、その下端開口から外ルツボの半導体融液中に粒状又は粉状の原料を投入可能に配置された原料供給管5とを備え、前記原料供給管内に密閉容器内に向けて流れる不活性ガスとともに前記原料が投入され、前記気密容器内の内圧をP(Torr)とし、前記不活性ガスの流量をN(l/min・cm<SP>2</SP>)とした場合に、0.0048P+0.0264<N<0.07Pである領域で前記原料を投入することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

気密容器と、気密容器内で半導体融液を貯留する互いに連通した外ルツボ及び内ルツボからなる二重ルツボと、気密容器の上部から垂下され、その下端開口から外ルツボの半導体融液中に粒状又は粉状の原料を投入可能に配置された原料供給管とを備え、前記原料供給管内に密閉容器内に向けて流れる不活性ガスとともに前記原料が投入され、前記気密容器内の内圧をP(Torr)とし、前記不活性ガスの流量をN(l/min・cm<SP>2</SP>)とした場合に、0.0048P+0.0264<N<0.07Pである領域で前記原料を投入することを特徴とする単結晶引上方法。

IPC (5件)：

C30B 15/12 , C30B 27/02 , C30B 29/06 502 , C30B 29/42 , H01L 21/208

FI (5件)：

C30B 15/12 , C30B 27/02 , C30B 29/06 502 A , C30B 29/42 , H01L 21/208 P

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-342490
特開平4-198086
特開平3-164493

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