特許

J-GLOBAL ID：200903088563631708

光変調器付半導体レーザダイオードとその製造方法

発明者： 門脇 朋子 ,  多田 仁史 ,  瀧口 透 ,  三橋 豊
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-163827
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353848
出願日： 1999年06月10日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：

【要約】【課題】 アイソレーション部の分離抵抗を高くでき、高速動作が可能な変調器付半導体レーザダイオードを提供する。【解決手段】 InP基板上に、形成されたメサ部と、メサ部の両側に埋め込み成長された高抵抗InP層と、メサ部及び高抵抗InP層上に形成されたp型クラッド層とを備え、アイソレーション部により一端側のレーザ発振部と他端側の光変調器部とが分離されかつレーザ発振部及び光変調器部における高抵抗InP層上とp型クラッド層との間にn型InP層が形成されてなる光変調器付半導体レーザダイオードにおいて、高抵抗InP層は、アイソレーション部においてレーザ発振部及び光変調器部より低くなるように形成された面上に成長した。

請求項（抜粋）：

InP基板上に、一端から他端に至る帯状に形成されたメサ部と、該メサ部の両側に埋め込み成長された高抵抗InP層と、上記メサ部及び上記高抵抗InP層上に形成されたp型クラッド層とを備え、アイソレーション部により上記一端側のレーザ発振部と上記他端側の光変調器部とが分離されかつ上記レーザ発振部及び上記光変調器部における上記高抵抗InP層上とp型クラッド層との間にn型InP層が形成されてなる光変調器付半導体レーザダイオードにおいて、上記高抵抗InP層は、上記アイソレーション部において上記レーザ発振部及び上記光変調器部より低くなるように形成された上記メサ部両側の面上に成長されていることを特徴とする光変調器付半導体レーザダイオード。

IPC (5件)：

H01S 5/026 ,  G02F 1/025 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/308 ,  H01S 5/227

FI (5件)：

H01S 5/026 ,  G02F 1/025 ,  H01L 21/308 C ,  H01S 5/227 ,  H01L 21/306 B

Fターム (30件)：

2H079AA02 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079CA05 ,  2H079DA16 ,  2H079DA22 ,  2H079EA07 ,  2H079EB06 ,  2H079JA04 ,  2H079KA18 ,  5F043AA15 ,  5F043BB08 ,  5F043DD15 ,  5F043DD30 ,  5F043FF05 ,  5F043GG06 ,  5F043GG10 ,  5F073AA22 ,  5F073AA64 ,  5F073AA89 ,  5F073AB12 ,  5F073AB21 ,  5F073BA01 ,  5F073CA12 ,  5F073CB02 ,  5F073CB11 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073DA24 ,  5F073EA14