特許

J-GLOBAL ID：200903088568107039

拡散層深さ測定装置

発明者： 小 谷 滋 夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-172787
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021564
出願日： 1991年07月12日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】 拡散ウェーハにおける拡散層の深さを簡略かつ正確に求めることができる拡散層深さ測定装置を提供する。【構成】 一面側に高濃度不純物拡散層(1b)を有し反対面側に表面研磨された低濃度不純物拡散層(1b)を有する被測定半導体基板から切り出した試料(1)を前記一面側を支持する試料台(11)と、赤外線発生器(12)と、この赤外線発生器で発生された赤外線(13)を試料面に平行に前記試料の側面から入射させるとともに前記試料の厚さ方向に前記赤外線照射位置を走査させる赤外線走査手段と、前記試料を透過した赤外線の強度を測定する透過光測定手段(16)と、この透過光測定手段で測定された透過光強度の入射光強度に対する比率を求め、その変化点と前記走査位置との関係から前記高濃度不純物拡散層の拡散深さを求める拡散層深さ演算手段(18)とを備える。散乱光測定手段(15)により、散乱光強度の変化点から高濃度不純物拡散層の拡散深さを求めるようにしても良い。

請求項（抜粋）：

一面側に高濃度不純物拡散層を有するとともに反対面側に表面研磨された低濃度不純物拡散層を有する被測定シリコン基板から切り出した試料の前記一面側を支持する試料台と、赤外線発生器と、この赤外線発生器で発生された赤外線を試料面に平行に前記試料の側面から入射させるとともに前記試料の厚さ方向に前記赤外線照射位置を走査させる赤外線走査手段と、前記試料を透過した赤外線の強度を測定する透過光測定手段と、この透過光測定手段で測定された透過光強度の入射光強度に対する比率を求め、その変化点と前記走査位置との関係から前記高濃度不純物拡散層の拡散深さを求める拡散層深さ演算手段とを備えた拡散層深さ測定装置。

IPC (4件)：

H01L 21/66 ,  G01J 1/42 ,  G06G 7/12 ,  H01S 3/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭57-098840
  
• 特開平2-033947
  
• 特開昭51-137382
  
• 特開昭61-213651