特許

J-GLOBAL ID：200903088568830300

半導体レーザ及びその製造方法

発明者： 延原 裕之
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-178398
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029702
出願日： 1991年07月18日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【目的】本発明は、半導体レーザに関し、半導体レーザの共振器長が短くなった場合にも、上面電極や下面電極が保護膜で覆われることなく、良好なワイヤボンディングやダイボンディングを行うことができる半導体レーザを提供することを目的とする。【構成】半導体基板12上に形成された共振器14の端面が劈開面である半導体レーザ10において、共振器14の端面における活性層13の近傍のみが保護膜20、22により覆われるように構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された共振器の端面が劈開面である半導体レーザにおいて、前記共振器の端面における活性層の近傍のみが保護膜により覆われていることを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-289983
  
• 特開平2-213185
  
• 特開昭64-061979
  
• 特開昭59-048977