異物検出方法とその装置並びに半導体装置製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-158563
公開番号（公開出願番号）：特開2003-077969
出願日： 1990年04月02日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：

【要約】【課題】LSIが微細化するに伴い、次第に半導体製造上、微小異物の存在が問題になってきているのが実情である。しかしながら、このような微小異物はもはや前記公報に係る技術によって検出し得なくなっており、ましてや、ウェハ中、あるいはウェハ表面上に存在している重金属元素等による汚染は検出し得ないものとなっている。【解決手段】基板上に存在する異物、あるいは汚染を、該異物、あるいは汚染からの散乱光検出を検出する汚染検出装置に、散乱光検出系に異物、あるいは汚染からの散乱光を、特定雰囲気中で不要なレイリー散乱を抑えつつ検出せしめる雰囲気設定・保持系を具備させ、この汚染検出装置に、更に、汚染検出に先立って基板を予め加熱しておく基板加熱系を具備させた。そして、半導体製造用の真空処理装置各々の基板出入口に、上記の如く構成されてなる汚染検出装置を設置した。

請求項（抜粋）：

基板を処理する複数の処理工程を備えた半導体製造ラインにおいて、基板を処理する処理工程で処理を施す前と施した後とで、それぞれ低圧雰囲気中にて前記基板を加熱して当該基板の欠陥を強調した状態で当該基板の異物または汚染を検出し、該検出した異物または汚染のデータを用いて前記処理工程における前記基板上への異物または汚染の発生の状態を監視することを特徴とする半導体装置製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/66 , G01N 21/956

FI (2件)：

H01L 21/66 J , G01N 21/956 A

Fターム (19件)：

2G051AA51 , 2G051AA73 , 2G051AB01 , 2G051AB02 , 2G051BA10 , 2G051BA20 , 2G051BC01 , 2G051BC05 , 2G051CA03 , 2G051CB05 , 2G051DA07 , 2G051DA08 , 2G051EA11 , 4M106AA01 , 4M106BA02 , 4M106BA05 , 4M106CA29 , 4M106CA41 , 4M106DB08

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-022838
特開平2-022838
特開平2-022838

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