特許

J-GLOBAL ID：200903088577173656

トランジスタ

発明者： 小西 孝彦
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-402907
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203957
出願日： 2000年12月28日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：

【要約】【課題】 電極配線や外部リードとの接続部における抵抗を減らし、低い動作電圧で大電流が得られるトランジスタを提供する。【解決手段】 平面形状で長方形の半導体基板にトランジスタ構成単位のセルが多数配置され、表面側に、エミッタに接続されるエミッタ電極1とベースに接続されるベース電極2とが形成されると共に、エミッタ電極1およびベース電極2の電極パッド1a、2aが、長方形状の相対向する長辺側にそれぞれ設けられ、半導体チップ10の裏面側にコレクタと接続されるコレクタ電極3が設けられることにより半導体チップ10が形成されている。この半導体チップ10が第3のリード6先端部の長方形状アイランド6a上にボンディングされ、第1および第2のリード4、5がエミッタ電極パッド1aおよびベース電極パッド2aに直接接続されている。

請求項（抜粋）：

平面形状が長方形の半導体基板にトランジスタ構成単位のセルが多数配置され、表面側に、エミッタもしくはソースに接続される第1の電極とベースもしくはゲートに接続される第2の電極とが形成されると共に、第1および第2の電極の電極パッドが、前記長方形状の相対向する長辺側にそれぞれ設けられ、前記半導体チップの裏面側にコレクタもしくはドレインと接続される第3の電極が形成される半導体チップと、前記半導体チップがダイボンディングされる長方形状のアイランドを有し、該アイランドの長辺側から該長辺に直角方向に導出される第3のリードと、前記第1および第2の電極の電極パッドに直接接続される第1および第2のリードと、前記半導体チップの周囲を被覆する樹脂パッケージとからなるトランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/73 ,  H01L 21/331 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 23/48

FI (3件)：

H01L 23/48 Q ,  H01L 29/72 Z ,  H01L 21/88 T

Fターム (18件)：

5F003AP01 ,  5F003BB08 ,  5F003BB09 ,  5F003BB90 ,  5F003BC08 ,  5F003BE08 ,  5F003BE09 ,  5F003BE90 ,  5F003BF01 ,  5F003BF02 ,  5F003BG01 ,  5F003BH02 ,  5F003BH16 ,  5F003BH99 ,  5F003BZ02 ,  5F033HH08 ,  5F033VV07 ,  5F033XX08