特許

J-GLOBAL ID：200903088594053451

中性粒子ビーム発生方法及び処理装置

発明者： 内住 秀昭 ,  久保田 尚樹
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 高矢 諭 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-090969
公開番号（公開出願番号）：特開平5-290996
出願日： 1992年04月10日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【目的】 ガスの種類に関係なく電子付着反応により清浄な中性粒子ビームを生成させてエッチング等の処理を行う。【構成】 プラズマPを発生させるプラズマ室10と該プラズマ室10から引き出した正イオンに電子を付着させて中性化し、中性粒子ビームを生成させる光電子付着室12と、電子付着反応により生じた中性粒子を被処理体Sに対して入射させて処理する処理室14とを備え、光電子付着室12の周囲に光電子発生手段として光源18と、該光源18で照射して光電子を発生させる光電面20とを配設し、該光電面20の内側に光電子増倍機能を有する多段のメッシュ状光電子増倍用電極からなる光電子増倍手段22を配設し、プラズマ室10から光電付着室12に引き出された正イオンを光電子増倍手段22で増倍された光電子で中和して中性粒子ビームを生成させる。

請求項（抜粋）：

プラズマからイオンビームを引き出し、そのイオンビームを中性化して中性粒子ビームを発生させるにあたり、前記イオンビームに光電効果により発生させた光電子を付着させることにより、該イオンビームの中性化を行うことを特徴とする中性粒子ビーム発生方法。

IPC (8件)：

H05H 3/02 ,  H01J 40/06 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/302 ,  C23C 14/34 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/31