特許

J-GLOBAL ID：200903088594731450

半導体表面の処理法

発明者： 西田 彰志 ,  浮世 典孝
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-180129
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007076
出願日： 1999年06月25日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】 繰り返し使用可能な半導体基体表面の処理法を提供する。【解決手段】 異種材料層(又は多孔質層)を犠牲にして半導体層を半導体基体から剥離してデバイスを作製する際に、加熱した金属溶液中に剥離後の半導体基体を浸漬させて半導体基体表面の異種材料層(又は多孔質層)の破片を溶解して取り除く。

請求項（抜粋）：

異種材料層を有する半導体基体の表面に金属溶液を接触させて前記半導体基体の表面の異種材料層を前記金属溶液中に溶解させることにより前記異種材料層を除去することを特徴とする半導体表面の処理法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/304 647

FI (2件)：

H01L 21/306 Q ,  H01L 21/304 647 Z

Fターム (10件)：

5F043AA02 ,  5F043AA16 ,  5F043AA40 ,  5F043BB01 ,  5F043BB10 ,  5F043DD01 ,  5F043DD30 ,  5F043FF07 ,  5F043GG04 ,  5F043GG10