特許
J-GLOBAL ID：200903088596932827
ノズルプレートの製造方法およびシリコン基板の加工方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-071030
公開番号（公開出願番号）：特開平11-268283
出願日： 1998年03月19日
公開日（公表日）： 1999年10月05日
要約：
【要約】【課題】 高精度でばらつきの少ないノズルを有する高品質なノズルプレートを生産性よく低価格で提供する。【解決手段】 (a)結晶方位(100)のn型シリコン単結晶基板の一方の面に、ノズルパターンに対応した耐エッチングマスクを形成する工程と、(b)他方の面に、周期律表第5B属元素のドーピングを行い、光透過性導電層を形成する工程と、(c)一方の面をアルカリ性水溶液に接触させて異方性エッチングを行い、ノズルパターンに対応した未貫通孔を形成する工程と、(d)一方の面をふっ酸を含む溶液に接触させた状態で、他方の面の側から光を照射しながら、光透過性導電層を陽極として電解エッチングを行い、未貫通孔を更に深い未貫通孔又は貫通孔にする工程と、を実施するようにした。
請求項（抜粋）：
(a)ノズルプレート用基板として用いる結晶方位(100)のn型シリコン単結晶基板の一方の面に、ノズルパターンに対応した耐エッチングマスクを形成する工程と、(b)前記n型シリコン単結晶基板の他方の面に、周期律表第5B属元素のドーピングを行い、光透過性導電層を形成する工程と、(c)前記n型シリコン単結晶基板の一方の面をアルカリ性水溶液に接触させて前記n型シリコン単結晶基板の異方性エッチングを行い、前記n型シリコン単結晶基板の一方の面にノズルパターンに対応した未貫通孔を形成する工程と、(d)前記n型シリコン単結晶基板の一方の面をふっ酸を含む溶液に接触させた状態で、前記n型シリコン単結晶基板の他方の面の側から光を照射しながら、前記光透過性導電層を陽極として電解エッチングを行い、前記n型シリコン基板の未貫通孔を更に深い未貫通孔又は貫通孔にする工程と、を有することを特徴とするノズルプレートの製造方法。
IPC (2件)：
B41J 2/135
, H01L 21/3063
B41J 3/04 103 N
, H01L 21/306 L
