特許

J-GLOBAL ID：200903088599809449

半導体レーザ

発明者： 勝山 造
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-161794
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013884
出願日： 1991年07月02日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 本発明は半導体レーザに関するものであり、特に0.9〜1.1μm帯半導体レーザに関するものである。【構成】 本発明の半導体レーザは、光導波層がGaInAs量子井戸層6a,6b,6c,6dとこれを隔てる障壁層5a〜5cを有する活性層と、この活性層を上下から挟む光閉込め層4,7とからなり、光閉込め層4,7が燐を含みバンドギャップがGaAsよりも大きい化合物半導体材料、例えば(Al<SB>y </SB>Ga<SB>1-y </SB>)<SB>Z </SB>In<SB>1-Z </SB>P(0≦y<1)で形成されている。したがって、従来のGaAs/GaInAs材料系と比較し、より大きなバンドギャップ差を得ることができ、半導体レーザの高効率化および高出力化が実現できる。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に形成される半導体レーザにおいて、光導波層がGaInAs量子井戸層を有する活性層と、この活性層を上下から挟む光閉込め層とからなり、前記光閉込め層が燐を含みバンドギャップがGaAsよりも大きい化合物半導体材料で形成されていることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-246879
  
• 特開昭63-197391
  
• 特開平4-234188