特許

J-GLOBAL ID：200903088607913161

太陽電池及びその製造方法

発明者： ファン・ケルスハフェル,エマヌエル ,  シルフチック,ユゼフ ,  アインハウス,ローラント ,  ネイス,ヨハン
出願人/特許権者： アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-500027
公開番号（公開出願番号）：特表2002-500825
出願日： 1998年05月29日
公開日（公表日）： 2002年01月08日
要約：

【要約】本発明は、半導体基板内に設けられた太陽電池に関するものであって、前記太陽電池は、少なくとも放射線を受ける前面(2)と第2面(3)とからなり、前記基板は第1型導電性物質からなる第1領域(1)と前記第1型とは反対型の第2型導電性物質からなる第2領域(8)とからなり、前記第2領域は少なくとも前記前面(2)に隣接している第1部分と少なくとも第2面(3)に隣接している第2部分とを有し、前記前面(2)が前記第2領域(8)との導電性接点(10)を有し、前記第2面(3)が前記第1領域(1)と前記第2領域(8)とに分れた接点(6、9)を有し、前記第2面(3)上の前記第2領域(8)が前記前面(2)と有限数のバイアを介して接続されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板内に放射線を受取る前面と第2面とを少なくとも有する太陽電池であって、 前記基板が第1型導電性の第1領域と前記第1型とは反対型の第2型導電性の第2領域からなり、 前記第2領域が前記前面に隣接して配置されている第1部分と前記第2面と隣接して配置されている第2部分とを少なくとも有し、 前記前面が、前記第2領域との導電性接点を有しており、 前記第2面が、前記第1領域と前記第2領域の第2部分とに分れた導電性接点を有しており、 前記第2面上の前記第2領域との前記接点が、前記前面上の前記接点と有限数のバイアを介して接続していることよりなる太陽電池。

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開昭63-211773
  

審査官引用 (1件)

• 特開昭63-211773