特許

J-GLOBAL ID：200903088608432370

プラズマエッチング方法

発明者： 石田 丈繁 ,  小松 英雄 ,  阿部 雅敏 ,  木村 泰樹
出願人/特許権者： 国際電気株式会社 ,  沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 石戸 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-073408
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234956
出願日： 1992年02月24日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 多層レジストのエッチングにおいて、被エッチング多層膜の構成の如何によらず、高精度の異方性加工が可能なプラズマエッチング方法を提供する。【構成】 エッチングすべき薄膜上に多層レジストマスクを形成する工程において、最下層レジスト7のエッチング中に上層レジスト5のエッチング終了による消失を検知しエッチング条件を補正し、異方性加工を行う。

請求項（抜粋）：

エッチングすべき薄膜上に多層レジストマスクを形成する工程において、最下層レジストのエッチング中に上層レジストのエッチング終了による消失を検知しエッチング条件を補正し、異方性加工を行うことを特徴とするプラズマエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00