特許

J-GLOBAL ID：200903088608490027

金属酸化物セラミックからの移動性種の減少した拡散

発明者： フランク エス ヒンターマイアー
出願人/特許権者： インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-590226
公開番号（公開出願番号）：特表2003-536239
出願日： 1999年12月08日
公開日（公表日）： 2003年12月02日
要約：

【要約】金属酸化物セラミックから基板中への過剰の移動性種の拡散を阻止するために障壁層が備えられている。障壁層は金属酸化物セラミックの下に備えられ、金属酸化物セラミックを下の基板から分離する。

請求項（抜粋）：

基板上の誘電体層、誘電体層の部分上に形成した導電性層、誘電体層および底部電極上の金属酸化物セラミック層、金属酸化物セラミックおよび基板を分離するための誘電体層上の障壁層からなり、障壁層が金属酸化物セラミックから基板中への過剰の移動性種の拡散を減少する半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  C23C 14/08 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768 ZAA

FI (5件)：

C23C 14/08 E ,  C23C 14/08 J ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 27/10 444 B ,  H01L 21/90 ZAA A

Fターム (42件)：

4K029AA06 ,  4K029BA43 ,  4K029BA48 ,  4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4M104BB01 ,  4M104BB18 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104FF14 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG16 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033HH35 ,  5F033HH40 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK01 ,  5F033LL04 ,  5F033VV10 ,  5F033VV16 ,  5F033XX28 ,  5F083FR02 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083JA17 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083NA08 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40