特許
J-GLOBAL ID：200903088613327401
半導体装置の外部リードの鍍金用治具およびその治具を使用した鍍金方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-049322
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251607
出願日： 1992年03月06日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】半導体装置のプリント基板への実装時に余剰半田によるブリッジおよび半田不足による実装不良を防止する。【構成】内部に半導体素子封止した封止体1と前記封止体の外部に導出するリード2有する半導体装置の外部リードに鍍金を行なう半導体製造用治具3,5において、前記封止体の主面を支持する治具5と前記主面の反対側より外部リードに接触し支持する治具3と前記外部リードに接触する治具には前記外部リードに電気を流す手段が形成されて成ることを特徴とする半導体装置鍍金用治具を使用し、前記封止された封止体から前記導出するリードを成形する工程と前記成形工程の後、前記リードに通電にて半田鍍金を施すものである。【効果】半導体装置の外部リードが成形された後、通電鍍金にて外部リードに半田層を形成することができるため、均一な半田層の形成が可能となり、余剰半田による実装時のブリッジ形成、および半田不足による実装不良がなくなる。
請求項（抜粋）：
内部に半導体素子を封止した封止体と前記封止体の外部に導出するリードを有する半導体装置の外部リードに鍍金を行なう半導体製造用治具において、前記封止体の主面を押さえる治具と前記主面の反対側より前記外部リードに接触し支持する治具と前記外部リードに接触する治具には前記外部リードに電気を流す手段が形成されて成ることを特徴とする半導体装置外部リードの鍍金用治具。
IPC (2件)：
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