特許
J-GLOBAL ID：200903088617640120
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-174828
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026876
出願日： 1997年06月30日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】直列抵抗を下げて低い動作電圧で動作し、かつ活性層にて発生した光を有効に閉じ込め、発振開始電流の増加を抑えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供する。【解決手段】窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を、クラッド層4、p型クラッド層5、活性層6、n型クラッド層7、8及びn型コンタクト層9を順次積層した構造とし、p型クラッド層5上にp型電極11を設け、このp型クラッド層5をp型電極11から活性層6に直接電流を注入するための電流路とする。また、p型クラッド層5の下にさらにクラッド層4を設けて、このクラッド層4とn型クラッド層8の間で活性層にて発生した光を有効に閉じ込め、発振開始電流の増加を抑える。
請求項（抜粋）：
クラッド層、第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッド層及び第2導電型コンタクト層をこの順で有し、該第1導電型クラッド層が第1導電型電極に電気的に接続され該活性層に電流を注入する機能を具備した窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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