特許

J-GLOBAL ID：200903088617933586

ヒートシンク

発明者： 斉藤 裕久 ,  今井 貴浩 ,  山本 喜之
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-042425
公開番号（公開出願番号）：特開平11-243168
出願日： 1998年02月24日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：

【要約】【課題】 その表面上に発熱量の大きい半導体素子が取付けられても、放熱特性および熱膨張特性を有効に発揮し得るヒートシンクを提供する。【解決手段】 ヒートシンクは、厚さ200μm〜600μmの非金属無機材料からなる基板母材を備える。また、基板母材の少なくとも1表面上に形成された厚さ5μm〜60μmの多結晶ダイヤモンド層を備える。また、多結晶タ ゙イヤモント ゙層の表面上の所定領域に形成され、Ti,Zr,Hf,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Au,NiおよびVの酸化物、炭化物、窒化物および炭窒化物のうちから選ばれた少なくとも1種類からなる厚さ1μm〜4μmの第1中間接合層を備える。また、第1中間接合層上に形成され、Mo,Ni,Pd,Pt,Auのうちから選ばれた少なくとも1種類からなる厚さ2μm〜5μmの第2中間接合層を備える。さらに、第2中間接合層の表面上に形成され、その表面上に半導体素子が取付けられる、Au,Ag,Si,Ge,Sn,PdおよびInのうちから選ばれた少なくとも1種類の金属からなる厚さ2μm〜5μmの金属接合層を備える。

請求項（抜粋）：

上下主表面を有し、該上下主表面間の厚さが200μm〜600μmである、非金属無機材料からなる基板母材と、前記基板母材の少なくとも前記上下主表面の1方上に形成された、厚さが5μm〜60μmである多結晶ダイヤモンド層とを備え、前記多結晶ダイヤモンド層表面上に半導体素子が設けられる、ヒートシンク。