半導体集積回路装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-274433
公開番号（公開出願番号）：特開平9-115999
出願日： 1995年10月23日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】ダイオード等の入力保護回路素子を半導体基板に形成した半導体集積回路装置において、リーク電流を抑制する。【解決手段】 CMOSインバータ回路13を構成するnMOS9a、pMOS9bをSOI構造にて形成するとともに、n型拡散層18とp型拡散層19とを半導体基板1内に形成してCMOSインバータ回路13の入力保護回路をなす保護ダイオード17を構成する。ここで、n型拡散層18の周囲をp型拡散層19にて囲むようにして、半導体基板1内の埋め込み絶縁膜2の界面に形成される空乏層をp型拡散層19によって遮断し、n型拡散層18とp型拡散層19の間のリーク電流を抑制する。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板(1)と、この半導体基板上に絶縁体層(2)を介して形成された半導体層(3)と、この半導体層に形成された第1半導体回路素子(13)と、前記半導体基板内に第2導電型の第1拡散層(18、30、24a、24b)を有して形成された第2半導体回路素子(17、16、25)とを備え、前記第2半導体回路素子は、前記第1拡散層がその周囲を前記半導体基板よりも高濃度の第1導電型の第2拡散層(19)によって平面的に取り囲まれていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (7件)：

H01L 21/761 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 27/12 , H01L 29/786

FI (5件)：

H01L 21/76 J , H01L 27/12 K , H01L 27/04 H , H01L 27/08 321 H , H01L 29/78 623 Z

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開昭61-032563
特開昭62-179143
特開昭63-142849

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