特許

J-GLOBAL ID：200903088621637690

磁気抵抗RAM及びその製造方法

発明者： 朴 玩 濬 ,  李 宅 東 ,  朴 炳 國 ,  金 泰 完 ,  宋 利 憲 ,  朴 ▲祥▼ 珍
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 磯野 道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-151776
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347521
出願日： 2003年05月29日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】 磁気抵抗RAM及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上に第1ゲート、ソースジャンクション及びドレーンジャンクションからなるMOSトランジスタと、ソースジャンクションに連結された下部電極と、この下部電極の上面に形成された第1磁性体膜と、第1磁性体膜上に形成されたAlとHfとを含有されて酸化された絶縁性のバリヤ膜と、第2磁性体膜と対応させてバリヤ膜の上部に形成された第2磁性体膜と、第2磁性体膜上に形成された上部電極と、下部電極と第1ゲートとの間に介在されて第1磁性体膜の磁性情報を調整する第2ゲート及び第1ゲートと垂直に交差して上部電極と連結されたビットラインとを含んで磁気抵抗RAMを構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された、第1ゲート、ソースジャンクション及びドレーンジャンクションからなるMOSトランジスタと、前記ソースジャンクションに連結された下部電極と、前記下部電極の上面に形成された第1磁性体膜と、前記第1磁性体膜上に形成されて前記第1磁性体とポテンシャルウェルを形成するようにAlとHfが含有された絶縁性のバリヤ膜と、前記バリヤ膜の上部に、前記第1磁性体膜と対応して形成された第2磁性体膜と、前記第2磁性体膜上に形成された上部電極と、前記第1ゲートと前記下部電極との間に介在されて、前記第1磁性体膜又は前記第2磁性体膜の磁性情報を調整する第2ゲートと、前記第1ゲートと垂直に交差して前記上部電極と電気的に連結されたビットラインとを含むこと、を特徴とする磁気抵抗RAM。

IPC (2件)：

H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (3件)：

H01L 43/08 D ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (12件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083GA27 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083PR22 ,  5F083PR40