特許
J-GLOBAL ID：200903088624996224
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-167030
公開番号（公開出願番号）：特開2001-351918
出願日： 2000年06月05日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の金属埋め込み配線において、金属配線とその周囲の絶縁膜との間で高い絶縁性を実現する。【解決手段】 半導体基板上に配置された絶縁膜110の溝111内に、金属部材122とバリアメタル121からなる金属配線120が形成される。そして、金属部材122の側部に形成されたバリアメタル121の上部と接するように、第1の金属拡散防止膜131が絶縁膜110上に形成される。さらに、第1の金属拡散防止膜131及び金属配線120の上に、第2の金属拡散防止膜132が形成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に配置され溝が形成された絶縁膜と、前記溝に形成された金属配線と、前記金属配線及び前記絶縁膜の上に形成された金属拡散防止膜とを備え、前記金属配線の側面の上部は、前記金属拡散防止膜と接することを特徴とする半導体装置。
Fターム (27件)：
5F033HH08
, 5F033HH11
, 5F033HH13
, 5F033HH14
, 5F033HH18
, 5F033HH19
, 5F033HH32
, 5F033HH33
, 5F033MM01
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033MM15
, 5F033PP06
, 5F033PP15
, 5F033PP19
, 5F033PP27
, 5F033QQ09
, 5F033QQ10
, 5F033QQ48
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR08
, 5F033RR11
, 5F033SS04
, 5F033SS11
, 5F033TT02
, 5F033XX31
