特許
J-GLOBAL ID：200903088628264287
半導体装置製造方法及びその半導体装置製造方法で製造された半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-003641
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204592
出願日： 1998年01月12日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：
【要約】【課題】検出感度ぎりぎりの微小な外観欠陥を検査するモニター中の検査装置の感度を常に一定水準に保ち、プローブ検査不良に結びつく異物や外観欠陥の不良が多く発生する工程早く探し出して対策を行うことで、高い歩留りを早く実現する。【解決手段】現在モニタ中の検査装置と同一のデータ表示形式に変換された他の検査装置の検査データと現在モニタ中の検査データとを比較して他の検査装置に対する現在モニタ中の検査装置の異物の捕捉率を求める手段とにより解決することができる。
請求項（抜粋）：
複数の処理工程からなる半導体装置の製造ラインにおいて、所定の処理工程を経た半導体装置を検出方式の異なる複数の検査装置を用いて特定品種の半導体を常時抜き取りまたは全数検査する半導体装置製造方法において、モニタしている検査装置の検査データを表示する画面上に他の複数の検査装置の内の任意の検査データを同時表示し、他の検査装置に対するモニタしている検査装置の不良捕捉率を必要に応じて表示する検査装置を用いた半導体装置製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/66 A
, H01L 21/66 Z
