素子分離領域の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-316239
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135617
出願日： 1997年10月31日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】【課題】 CMPによるトレンチ素子分離形成において、エッチバック等の工程を増すことなく、生産性を確保したまま、マイクロ・ディッシングを20nm以下に抑制してトレンチ素子分離部の平坦性を向上する研磨方法を提供する。【解決手段】 CMPによるトレンチ素子分離形成において、半導体基板1上に形成されたシリコン窒化膜4パターンをマスクにして、半導体基板1に素子分離用トレンチ部2を形成し、つぎに全面にシリコン酸化膜3を堆積し、シリコン酸化膜3に研磨を施す際、研磨の前半に粒子径の大きな研磨砥粒5からなるスラリーを用いて、シリコン酸化膜3の表面の位置が素子分離周辺のシリコン窒化膜膜4の表面の位置に近づく時点まで高い研磨速度で研磨する工程と、シリコン窒化膜4が現れる前の平坦性が最良になる時点で粒子径の小さな研磨砥粒5′からなるスラリーに切り替えて研磨する工程とを具備する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にストッパ用膜を形成する第一の工程と、前記ストッパ用膜をマスクにして、前記半導体基板に溝を形成する第二の工程と、前記第二の工程後、前記半導体基板上に、前記溝が埋るよう酸化膜を形成する第三の工程と、前記酸化膜を、第一の粒径の砥粒を含むスラリーを用いて研摩する第四の工程と、前記第四の工程後、前記第一の粒径よりも小さい第二の粒径の砥粒を含むスラリーを用いて、前記ストッパ用膜が露出するよう前記酸化膜を研摩する第五の工程と、前記第五の工程後、前記ストッパ膜を除去する第六の工程と、を備えることを特徴とする素子分離領域の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/76 , H01L 21/304 321 , H01L 21/304

FI (3件)：

H01L 21/76 L , H01L 21/304 321 P , H01L 21/304 321 M

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