特許

J-GLOBAL ID：200903088638598094

(Ge,Si)Nx反射防止膜及びこれを用いたパターン形成方法

発明者： 金 鎔範 ,  金 東完
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-310020
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163107
出願日： 1997年10月24日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】 GeNx反射防止膜自体の水溶性を制御することにより工程を単純化すると共に、水溶性が確実に制御される反射防止膜及びこれを用いたパターン形成方法を提供することが目的である。【解決手段】 半導体装置製造時に、下地膜54から反射されてフォトレジスト膜58に入射される光を防止するために用いられるGeNxよりなる反射防止膜において、GeNxよりなる反射防止膜がSiをさらに含有して(Ge、Si)Nxよりなることを特徴とする半導体装置製造用の反射防止膜56を開示する。反射防止膜56はマルチターゲットを用いてアルゴンガスと窒素ガスとが混合された雰囲気でRFスパッタリング法により形成する。

請求項（抜粋）：

半導体装置製造時下地膜から反射されてフォトレジスト膜に入射される光を防止するために用いられるGe入り反射防止膜において、前記Ge入り反射防止膜が(Ge、Si)Nxよりなることを特徴とする半導体装置製造用の反射防止膜。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  C01B 21/082 ,  G02B 5/20 101 ,  G03F 7/11 503

FI (4件)：

H01L 21/30 574 ,  C01B 21/082 C ,  G02B 5/20 101 ,  G03F 7/11 503