特許
J-GLOBAL ID:200903088639989631

誘導加熱電源及びそのゲート制御信号のタイミング制御方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 光石 俊郎 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-238892
公開番号(公開出願番号):特開平10-083885
出願日: 1996年09月10日
公開日(公表日): 1998年03月31日
要約:
【要約】【課題】 GTOを用いたインバータにより、大容量で高周波な誘導加熱電源を実現する。【解決手段】 インバータ部30のスイッチング素子としてGTOを採用する。ゲート制御信号発生回路20は、GTOのゲート制御をするオンゲート制御信号g(ON),オフゲート制御信号g(OFF)を出力する。ゲート制御信号発生回路20と、GTOとの間に、低インダクタンスなゲートドライブトランス40を設置し、高圧回路であるインバータ部30で発生した電圧サージが、低圧回路であるゲート制御信号発生回路20に入るのを防止している。ゲードライブトランス40とGTOとの間には、逆並列接続して構成したダイオードブロック50を設置して、ゲート制御信号gの立ち上がり率を急峻化する。
請求項(抜粋):
スイッチング素子で構成したインバータ部と、このインバータ部のスイッチング素子のゲート制御をするゲート制御信号を発生するゲート制御信号発生回路とを有しており、誘導加熱コイルと整合用コンデンサとを並列接続してなるタンク回路に、このタンク回路の共振周波数にほぼ同期した周波数の高周波電力を供給する電流型誘導加熱電源において、前記インバータ部のスイッチング素子としてゲートターンオフサイリスタを用い、該ゲートターンオフサイリスタと、前記ゲート制御信号発生回路との間に低インダクタンストランスを設置したことを特徴とする誘導加熱電源。

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