特許

J-GLOBAL ID：200903088643125358

光起電力素子およびその製造方法

発明者： 遠藤 浩二 ,  島 正樹
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-278991
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129904
出願日： 1995年10月26日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】 変換効率および光閉じ込め性能が向上した光起電力素子、およびこれらの量産性に優れた製造方法を提供する。【解決手段】 対向する第1と第2の主面を有するn型単結晶シリコン基板7と、その第1の主面上に形成された真性非晶質シリコン層8と、その上に形成されたp型非晶質シリコン層9と、その上に形成された導電性薄膜3と、その上に形成された集電極4と、n型単結晶シリコン基板7の第2の主面上に形成された真性非晶質シリコン層8と、その上に形成されたn型非晶質シリコン層10と、その上に形成された導電性薄膜3と、その上に形成された裏面電極5とを備え、n型単結晶シリコン基板7の第1の主面上に形成された真性非晶質シリコン層8とp型非晶質シリコン層9と導電性薄膜3とからなる積層部の周縁部分に、少なくとも真性非晶質半導体層8に達するまでの深さを有する溝1が形成される。

請求項（抜粋）：

一導電型の結晶系半導体基板の一主面上に、他導電型の非晶質半導体層と導電性薄膜とからなる積層体を備えた光起電力素子であって、前記基板の一主面上における前記積層体の周縁部分に、少なくとも該積層体を除去した溝が形成されたことを特徴とする、光起電力素子。

FI (2件)：

H01L 31/04 A ,  H01L 31/04 B

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平4-130671
  
• 光起電力素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-329264   出願人：三洋電機株式会社
• 特開昭54-141595
  
• 特開昭63-261883