特許
J-GLOBAL ID：200903088643906350
プラズマエッチング用単結晶シリコン製電極板およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-028723
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203879
出願日： 1995年01月25日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】 パーティクル付着の少ないプラズマエッチング用単結晶シリコン製電極板を提供する。【構成】 厚さ方向に平行に貫通細孔5が設けられているプラズマエッチング用単結晶シリコン製電極板2において、貫通細孔5内面のマイクロクラック8の長さが10μm以下である。
請求項（抜粋）：
厚さ方向に平行に貫通細孔が設けられているプラズマエッチング用単結晶シリコン製電極板において、上記貫通細孔内面のマイクロクラック長さが10μm以下であることを特徴とするプラズマエッチング用単結晶シリコン製電極板。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, C30B 29/06
, C30B 33/08
