特許
J-GLOBAL ID：200903088646276624
中空シリカ粉末の分級法と低誘電率多層基板の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-241066
公開番号（公開出願番号）：特開平6-091194
出願日： 1992年09月10日
公開日（公表日）： 1994年04月05日
要約：
【要約】【目的】 低誘電率多層基板に関し、表面粗度の低減を目的とする。【構成】 中空シリカ粉末に応力を加えて粒径の大きな粉末を選択的に破壊した後、この粉末を溶液中に分散させ、浮上した粉末のみを回収することを特徴として中空シリカ粉末の分級法を構成し、この方法により分級した中空シリカ粉末と硼珪酸ガラス粉末との混合物を主成分とし、この混合物に可塑剤,バインダおよび溶剤を加え、混練した後に成形してグリーンシートを作り、このグリーンシートを位置合わせして積層し、一体化した後に焼成することを特徴として低誘電率多層基板の製造方法を構成する。
請求項（抜粋）：
中空シリカ粉末に応力を加えて粒径の大きな粉末を選択的に破壊した後、該粉末を溶液中に分散させ、浮上した粉末のみを回収することを特徴とする中空シリカ粉末の分級法。
IPC (4件)：
B03B 5/28
, B03B 1/00
, H05K 1/03
, H05K 3/46
