特許

J-GLOBAL ID：200903088654508259

ドライエッチング方法

発明者： 柳田 敏治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-321257
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163175
出願日： 1996年12月02日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】 フロン系ガスを用いず、高異方性、高エッチングレート、高選択性、低パーティクル汚染化を満足するシリコン系材料層のドライエッチング方法の提供。【解決手段】 基板上に形成されたシリコン系材料層(単結晶シリコン基板1)をH2 OまたはH2 O2 の何れか一方のものと、フッ素系化合物あるいは塩素系化合物とを有するエッチングガスでのエッチング工程を有することを特徴とする。また、シリコン系材料層(単結晶シリコン基板1)が形成された基板を室温以下に制御し、このシリコン系材料層(単結晶シリコン基板1)をH2 OまたはH2 O2 の何れか一方のものと、放電解離条件下でプラズマ中に遊離の硫黄を生成するハロゲン化硫黄系化合物とを有するエッチングガスでのエッチング工程を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたシリコン系材料層を、H2 OまたはH2 O2 の何れか一方のものと、フッ素系化合物とを有するエッチングガスでエッチングする、エッチング工程を有することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

FI (2件)：

H01L 21/302 F ,  C23F 4/00 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-233728
  
• 特開平4-297029
  
• 特開昭58-078427